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　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發布采用高度0.357mm的芯片級MICRO FOOT 0.8mm x 0.8mm封裝的TrenchFET 20V N溝道MOSFET---Si8824EDB。Vishay SilicoNIx Si8824EDB是20V MOSFET中導通電阻最低的器件，尺寸為1mm2或不到0.7mm2，在智能手機、平板電腦、可穿戴設備、固態驅動器，以及助聽器等便攜式醫療設備中能夠節省空間，降低功耗，并延長電池使用時間。

　　Si8824EDB適用于電源管理應用里的負載開關、小信號開關和高速開關，具有極低的導通電阻，在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下的導通電阻分別為75mΩ、82mΩ、90mΩ、125mΩ和175mΩ，比采用相同CSP封裝的最接近的20V MOSFET最多低25%，比最接近的采用DFN 1mm x 0.6mm的20V器件最多低60%。MOSFET的VDS為20V，具有ESD保護功能，能在1.2V下啟動，加上低導通電阻，使這顆器件同時具有安全裕量大、柵極驅動設計更靈活、高性能的優點，可用于鋰離子電池供電的應用。

　　Si8824EDB的導通電阻與面積乘積極低，只有40mΩ-mm2，比DFN 1mm2封裝的最接近的20V MOSFET低28%，在移動應用里能夠節省空間，并降低電池功耗。器件的低導通電阻意味著器件在直流或脈沖峰值電流下的電壓降非常低，以熱的形式浪費的電能更少。MOSFET集成了ESD保護功能，保護電壓達2000V，能夠避免在加工或與人體接觸過程中發生靜電破壞。