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高通巨資建廠為了轉(zhuǎn)換RF器件工藝?

發(fā)布時間:2016/2/3    訪問人數(shù):1530次

  據(jù)臺灣《經(jīng)濟日報》報道稱,高通(Qualcomm)功率放大器(PA)等射頻(RF)元件策略出現(xiàn)轉(zhuǎn)向,計劃由臺積電COMS工藝代工轉(zhuǎn)為砷化鎵工藝制造。此前,高通將驍龍820手機芯片全部訂單交由三星電子代工。

  高通2014年推出自家的射頻元件方案“RF360”,是采用半導(dǎo)體CMOS工藝的PA,具低成本優(yōu)點,由臺積電以八寸廠制造,再搭配自家手機芯片出貨,與其他PA制造商Skyworks、Avago、RFMD等PA供應(yīng)商采用砷化鎵(GaAs)工藝不同。

  近日,高通剛剛宣布與日本零組件大廠TDK合資,擬在新加坡設(shè)立新公司“RF360 Holdings Singapore”,其中TDK旗下從事射頻模組業(yè)務(wù)的子公司EPCOS,會將部分業(yè)務(wù)分拆出來成立“RF360”。

  高通執(zhí)行長莫倫科夫(Steve Mollenkopf)回應(yīng)時表示,與TDK合作推出的“gallium arsenide PAs”(即砷化鎵PA)將于2017年生產(chǎn),這是一個比較合適的時間點,屆時會再尋找合適的應(yīng)用市場。

  從莫倫科夫說法來看,高通旗下RF元件采用的PA工藝,將由現(xiàn)行CMOS轉(zhuǎn)向砷化鎵,在這個架構(gòu)下,未來勢必還要調(diào)整代工廠,由目前的臺積電轉(zhuǎn)至穩(wěn)懋、宏捷科這類的砷化鎵代工廠。

  由于高通計劃在2017年推出新的砷化鎵PA,市場預(yù)期,今年會開始尋找合適代工廠,最快年底就會有樣品,明年就能上市。

  在智能手機進入4G時代,使用PA顆數(shù)至少七至八顆,比3G手機多出一到兩顆,加上這兩年4G手機數(shù)量呈跳躍式成長,帶動一波RF元件動能。

  相較高通推出自家PA等RF元件,競爭對手聯(lián)發(fā)科則是采合作方式,在手機公板上認(rèn)證Skyworks、Avago、RFMD及陸廠Vanchip的元件,避免周邊零組件供應(yīng)出現(xiàn)長短腳現(xiàn)象。