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　　氮化鎵(GaN)技術已經在影響高性能的射頻市場，但MACOM公司認為這只是開始。該公司所處地位獨特，致力于向用戶提供采用包括GaAs、InP、SiGe、SiPh、GaN和CMOS在內的大多數工藝技術制造的產品。

　　氮化鎵本身有兩種主要類型，一種是作為很高功率應用理想之選的GaN on SiC，一種是能夠增大晶圓直徑、批量時驅動成本下降的硅基氮化鎵(GaN on Si)，后者能充分利用CMOS提供的傳統規模經濟效應。MACOM公司希望氮化鎵能夠涉足所有的射頻功能和應用。

　　作為射頻和微波應用中的一種寬帶隙半導體技術，硅基氮化鎵具有高功率密度、高效率和高散熱屬性，因此正成為主流商業應用的重要選擇。硅基氮化鎵可以提供8倍的GaAs原始功率密度和4倍的LDMOS原始功率密度，效率范圍從中檔的40%到70%。

　　氮化鎵的市場潛力是非常巨大的，這種工藝技術最終有望主導高性能的射頻與微波市場。氮化鎵的性能優勢包括5倍于現有產品的帶寬和2倍于現有產品的效率。

　　另外，氮化鎵能夠滿足所有模擬功能和應用的要求。

　　GaN on Sic和硅基氮化鎵的比較

　　事實上在物理層，SiC材料的生成速度要比硅慢200倍到300倍。這樣，生產基板的成本將正比于生產時間。基于這個理由，GaN on SiC對主流商業應用來說仍然過于昂貴。不過它比較適用于軍事、國防以及要求相對高功率的潛在高端通信領域中的特殊應用。

　　硅基氮化鎵在能夠降低成本的同時仍能受益于高功率密度和效率。另外，硅基氮化鎵能順應硅的發展路線圖——有望最終適應裸片上與之一起存在的大量CMOS。

　　硅基氮化鎵技術將受到電源轉換應用的驅動，而這類應用所需的產品數量要比射頻和微波大好幾個量級。

　　MACOM公司總裁John Croteau認為，“確切地說，服務于電源轉換市場的單個8英寸硅片工廠在幾周時間內就能提供整個射頻和微波行業使用一整年的產量。”