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導讀： 先進邏輯工藝自28納米節點分野之后，FinFET與FD-SOI工藝的爭論就開始出現。兩大工藝均家支持者，英特爾與臺積電是FinFET路線的堅定支持者，二者目前均無發展FD-SOI工藝的計劃。?

OFweek電子工程網訊 格羅方德（GLOBAL FOUNDRIES）落戶成都，并宣布將以格芯作為FD-SOI工藝生產中心，再度引發半導體技術圈對FinFET與FD-SOI工藝的爭論。
FinFET與FD-SOI各有支持者
先進邏輯工藝自28納米節點分野之后，FinFET與FD-SOI工藝的爭論就開始出現。兩大工藝均家支持者，英特爾與臺積電是FinFET路線的堅定支持者，二者目前均無發展FD-SOI工藝的計劃。
此前曾傳言，臺積電近期也計劃發展FD-SOI工藝，但在2016年ICCAD期間，臺積電南京總經理羅鎮球，否認了這一傳言。羅鎮球說：“我們一直覺得FDSOI是一個暫時的產物。在CMOS領域一直往下走，功耗一直降低，速度一直提升。FDSOI我們沒有要做，經過多次評估，一看再看，覺得FD-SOI我們不會做。它做不贏我們的FinFET。”
羅鎮球表示FD-SOI工藝只是一個過渡產物。“我們評估過很多次，一看再看，還是覺得我們不會做FD-SOI。”羅鎮球指出，無論是技術指標還是經濟規模，FD-SOI工藝都不占優。“FD-SOI一是技術不占優，一是經濟規模不夠，兩條加起來那條路就很難走，而且FD-SOI的成本也不低，SOI硅片就比普通硅片貴很多”。
目前全球四大半導體代工廠中的兩家——三星及格羅方德——已經宣布計劃量產并采用FD-SOI晶圓進行多項試產（即tape-out，指硅芯片從設計到制造的這一步驟）也是FD-SOI工藝的堅定支持者。
如今，全球有三家位于三大洲的公司能夠供應FD-SOI晶圓，包括法國Soitec、日本信越半導體（SHE）、美國SunEdison。這三家公司均采用了行業標準的SOI晶園制造技術，智能剝離（Smart Cut?）。
法國Soitec已實現FD-SOI晶園的高良率成熟量產，其300mm晶圓廠能夠支持28nm、22nm及更為先進的節點上大規模采用FD-SOI技術。
不過SOI硅片一直無法壓低成本，目前8英寸的SOI硅片每片要300-400美元，而通常的硅片每片才30-40美元，相差十倍。因此估計SOI代工硅片價格應該在每片1000美元左右，而中國的代工廠，8英寸硅片平均代工價格在每片約400美元。
目前中國的FD-SOI技術尚沒有實現規模化量產階段，IC設計公司可能尚處在多任務硅片MPW的設計驗證階段。對于大陸SOI產業鏈的發展需要政府部門牽頭，制定規劃，并引導與資金支持，目前階段不可能單靠單一廠家解決所有問題。
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